AG5N60S
MOSFET
N-Channel
TO-263AB
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
2.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263AB |
| tr - Rise Time | 70 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AG5N60S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AG5N60S?
Los reemplazos compatibles para el AG5N60S incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO4407A, AF4N65S, AK4N65S, AG4N65S, AU5N60S, AD5N60S, AT5N60S, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AG5N60S?
El AG5N60S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263AB.
¿Cual es el voltaje maximo del AG5N60S?
El AG5N60S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.