AG8N60S
MOSFET
N-Channel
TO-263AB
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
142.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263AB |
| tr - Rise Time | 60.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 105 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 142 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AG8N60S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AG8N60S?
Los reemplazos compatibles para el AG8N60S incluyen: 100N10NF, 10N50TF, 11N65GS, 11N65TFS, 12N60B, 12N60H, 12N65, 12N65F, 2SK711, 2SK704, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AG8N60S?
El AG8N60S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263AB.
¿Cual es el voltaje maximo del AG8N60S?
El AG8N60S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.