AK2N60S
MOSFET
N-Channel
TO-262AB
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
4.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
44.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-262AB |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 45 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 44 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AK2N60S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AK2N60S?
Los reemplazos compatibles para el AK2N60S incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AG12N65S, AT14N15S, AT7N65S, AU10N65S, AU2N60S, AD2N60S, AT2N60S, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AK2N60S?
El AK2N60S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-262AB.
¿Cual es el voltaje maximo del AK2N60S?
El AK2N60S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.