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MOS
FET

MOSFET ALD1101BPA N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado DIP — Vds=12V, Id=0.05A, RDSon=75Ω, 0.5W

MOSFET N-Channel DIP 0.500 W

Parametros principales

Vds Max 12 V

Id Max 0.05 A

RDSon 75 Ω

Vgs Max 12 V

Potencia 0.5 W

Tj Max 125 °C

Especificaciones completas ▼

Package	DIP
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	10 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	0.05 A
Pd - Maximum Power Dissipation	0.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	125 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	12 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	12 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	75 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del ALD1101BPA:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel 75333P MOSFET N-Channel 75333S MOSFET N-Channel 75339G MOSFET N-Channel 75339P MOSFET N-Channel 75339S MOSFET N-Channel 7N50A MOSFET N-Channel A498 MOSFET N-Channel ALD1101APA MOSFET N-Channel ALD1101DA MOSFET N-Channel ALD1101MA MOSFET N-Channel APT1001R1AN MOSFET N-Channel APT1001R1AVR MOSFET N-Channel APT1001R1BN MOSFET N-Channel APT1001R1BVFR MOSFET N-Channel APT1001R1HN MOSFET N-Channel APT1001R1HVR MOSFET N-Channel

¿Que es el ALD1101BPA?

El ALD1101BPA es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DIP. Soporta hasta 12V entre drain y source con una corriente maxima de 0.05A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 75 Ohm.

Los MOSFET como el ALD1101BPA se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el ALD1101BPA

¿Con que transistor puedo reemplazar el ALD1101BPA?

Los reemplazos compatibles para el ALD1101BPA incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 75333P, 75333S, 75339G, y 13 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el ALD1101BPA?

El ALD1101BPA es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DIP. Sus parametros principales son: Vds=12V, Id=0.05A, RDSon=75Ω, 0.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del ALD1101BPA?

El ALD1101BPA soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el ALD1101BPA?

El ALD1101BPA viene en encapsulado DIP. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el ALD1101BPA?

El ALD1101BPA se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del ALD1101BPA?

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