AM4930N-T1
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
6.200 A
RDSon
0.0220 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.780 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 117 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.78 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.022 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AM4930N-T1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AM4930N-T1?
Los reemplazos compatibles para el AM4930N-T1 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 4N60, AM2336N-T1, AM2340NE-T1, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el AM4930N-T1?
El AM4930N-T1 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AM4930N-T1?
El AM4930N-T1 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.200 A.