AO3421E
MOSFET
P-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
0.0950 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.400 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 4 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 46.5 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.095 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO3421E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO3421E?
Los reemplazos compatibles para el AO3421E incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO3414, AO3415, AO3415A, AO3416, AO3418, AO3419, AO3420, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO3421E?
El AO3421E es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AO3421E?
El AO3421E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.