AO4433
MOSFET
P-Channel
SO8 SOIC8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.0140 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
3.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 SOIC8 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 360 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.014 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO4433:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO4433?
Los reemplazos compatibles para el AO4433 incluyen: AO3405, AO3407G, AO3701.
¿Que tipo de transistor es el AO4433?
El AO4433 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8 SOIC8.
¿Cual es el voltaje maximo del AO4433?
El AO4433 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.