AO4441
MOSFET
P-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 3.8 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 85 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO4441:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO4441?
Los reemplazos compatibles para el AO4441 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO4423, AO4425, AO4427, AO4430, AO4435, AO4437, AO4438, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO4441?
El AO4441 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AO4441?
El AO4441 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.