AO4444L
MOSFET
N-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.0120 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
3.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 276 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.012 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO4444L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO4444L?
Los reemplazos compatibles para el AO4444L incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO4430, AO4435, AO4437, AO4438, AO4440, AO4441, AO4442, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO4444L?
El AO4444L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AO4444L?
El AO4444L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.