AO4446
MOSFET
N-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.0085 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 8.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 306 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0085 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO4446:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO4446?
Los reemplazos compatibles para el AO4446 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO4435, AO4437, AO4438, AO4440, AO4441, AO4442, AO4443, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO4446?
El AO4446 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AO4446?
El AO4446 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.