AO4447A
MOSFET
P-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
17.000 A
RDSon
0.0070 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 260 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 755 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 17 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.007 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO4447A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO4447A?
Los reemplazos compatibles para el AO4447A incluyen: BS170, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO4438, AO4440, AO4441, AO4442, AO4443, AO4444L, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO4447A?
El AO4447A es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AO4447A?
El AO4447A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 17.000 A.