AO4485
MOSFET
P-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.0150 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 260 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.015 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO4485:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO4485?
Los reemplazos compatibles para el AO4485 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO4459, AO4466, AO4468, AO4476A, AO4478, AO4480, AO4482, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO4485?
El AO4485 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AO4485?
El AO4485 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.