AO5800E
MOSFET
N-Channel
SC89-6
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.400 A
RDSon
1.6000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.400 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC89-6 |
| tr - Rise Time | 35.7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 9 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.4 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO5800E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO5800E?
Los reemplazos compatibles para el AO5800E incluyen: 2N7000, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AO4932, AO4938, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO5800E?
El AO5800E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SC89-6.
¿Cual es el voltaje maximo del AO5800E?
El AO5800E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.400 A.