AO5804E
MOSFET
N-Channel
SC89-6
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.500 A
RDSon
0.5500 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
0.380 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC89-6 |
| tr - Rise Time | 3.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 8 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.38 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.55 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO5804E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO5804E?
Los reemplazos compatibles para el AO5804E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AO4940, AO4948, AO4952, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO5804E?
El AO5804E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SC89-6.
¿Cual es el voltaje maximo del AO5804E?
El AO5804E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.500 A.