AO6602G
MOSFET
N-Channel
TSOP-6
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.150 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TSOP-6 |
| tr - Rise Time | 7.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 35 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.15 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AO6602G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AO6602G?
Los reemplazos compatibles para el AO6602G incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 7N65, AO4296, AO4402G, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AO6602G?
El AO6602G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSOP-6.
¿Cual es el voltaje maximo del AO6602G?
El AO6602G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.