AOB12N65
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.7200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
278.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 77 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 152 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 278 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.72 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOB12N65:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOB12N65?
Los reemplazos compatibles para el AOB12N65 incluyen: 2N0609, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK2080, 2SK2652, 2SK2654, 2SK3530, 2SK3681, 3N150S, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOB12N65?
El AOB12N65 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del AOB12N65?
El AOB12N65 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.