AOB282L
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
105.000 A
RDSon
0.0032 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
272.500 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 960 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 105 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 272.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0032 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOB282L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOB282L?
Los reemplazos compatibles para el AOB282L incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOB260L, AOB2618L, AOB262L, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOB282L?
El AOB282L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del AOB282L?
El AOB282L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 105.000 A.