AOB29S50
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
29.000 A
RDSon
0.1500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
357.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 39 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 88 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 29 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.15 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOB29S50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOB29S50?
Los reemplazos compatibles para el AOB29S50 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOB286L, AOB288L, AOB290L, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOB29S50?
El AOB29S50 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del AOB29S50?
El AOB29S50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 29.000 A.