AOB412L
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.0155 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 16 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 260 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0155 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOB412L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOB412L?
Los reemplazos compatibles para el AOB412L incluyen: 13N50, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOB2918L, AOB292L, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOB412L?
El AOB412L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del AOB412L?
El AOB412L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.