AOD3N80
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
2.800 A
RDSon
4.8000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
83.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 39 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOD3N80:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOD3N80?
Los reemplazos compatibles para el AOD3N80 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AOD2916, AOD2922, AOD2N100, AOD2N60, AOD2N60A, AOD3N40, AOD3N50, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOD3N80?
El AOD3N80 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del AOD3N80?
El AOD3N80 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.800 A.