AOH3110
MOSFET
N-Channel
SOT223
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
0.7000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT223 |
| tr - Rise Time | 4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 13 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOH3110:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOH3110?
Los reemplazos compatibles para el AOH3110 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOD7S60, AOD7S65, AOD8N25, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOH3110?
El AOH3110 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT223.
¿Cual es el voltaje maximo del AOH3110?
El AOH3110 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.