AOI530
MOSFET
N-Channel
TO-251A
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
70.000 A
RDSon
0.0027 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
83.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251A |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1330 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 70 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0027 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOI530:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOI530?
Los reemplazos compatibles para el AOI530 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOI4N60, AOI4S60, AOI4T60, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOI530?
El AOI530 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251A.
¿Cual es el voltaje maximo del AOI530?
El AOI530 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 70.000 A.