AOI8N25
MOSFET
N-Channel
TO-251A
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.5600 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
78.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251A |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 51 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 78 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.56 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOI8N25:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOI8N25?
Los reemplazos compatibles para el AOI8N25 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOI514, AOI516, AOI530, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOI8N25?
El AOI8N25 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251A.
¿Cual es el voltaje maximo del AOI8N25?
El AOI8N25 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.