AON1611
MOSFET
P-Channel
DFN1.6X1.6A
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
0.0580 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
1.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN1.6X1.6A |
| tr - Rise Time | 33 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 93 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.058 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AON1611:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AON1611?
Los reemplazos compatibles para el AON1611 incluyen: AON1605, AON2401, AON2403.
¿Que tipo de transistor es el AON1611?
El AON1611 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DFN1.6X1.6A.
¿Cual es el voltaje maximo del AON1611?
El AON1611 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.