AON2809
MOSFET
P-Channel
DFN2X2
Parametros Principales
Vds Max.
12.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
0.0680 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
2.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN2X2 |
| tr - Rise Time | 24.5 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.068 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AON2809:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AON2809?
Los reemplazos compatibles para el AON2809 incluyen: AON2701, AON2705, AON2707, AON2801, AON2803, AON3419.
¿Que tipo de transistor es el AON2809?
El AON2809 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DFN2X2.
¿Cual es el voltaje maximo del AON2809?
El AON2809 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.