AON3419
MOSFET
P-Channel
DFN3X3
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.0190 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN3X3 |
| tr - Rise Time | 5.5 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.019 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AON3419:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AON3419?
Los reemplazos compatibles para el AON3419 incluyen: AON2801, AON2803, AON2809, AON4421.
¿Que tipo de transistor es el AON3419?
El AON3419 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DFN3X3.
¿Cual es el voltaje maximo del AON3419?
El AON3419 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.