AON5802
MOSFET
N-Channel
DFN2X5
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
7.200 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
1.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN2X5 |
| tr - Rise Time | 11.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 125 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AON5802:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AON5802?
Los reemplazos compatibles para el AON5802 incluyen: 2N7002EY, 2N7002KH, 2N7002KM, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AON5802?
El AON5802 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN2X5.
¿Cual es el voltaje maximo del AON5802?
El AON5802 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.200 A.