AON5802BG
MOSFET
N-Channel
DFN2X5
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.0170 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
3.100 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN2X5 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.017 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AON5802BG:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AON5802BG?
Los reemplazos compatibles para el AON5802BG incluyen: 2SK711, AO3407, 2SK704, 2SK709, AOI2614, AOI66406, AOK60N30L, AOL1404G, AOL1454G, AON2392, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AON5802BG?
El AON5802BG es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN2X5.
¿Cual es el voltaje maximo del AON5802BG?
El AON5802BG tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.