AON5810
MOSFET
N-Channel
DFN2X5
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
7.700 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
1.600 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN2X5 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AON5810:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AON5810?
Los reemplazos compatibles para el AON5810 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON4420L, AON4421, AON4605, AON4703, AON4803, AON4805L, AON4807, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AON5810?
El AON5810 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN2X5.
¿Cual es el voltaje maximo del AON5810?
El AON5810 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.700 A.