AON7532E
MOSFET
N-Channel
DFN3X3EP
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
28.000 A
RDSon
0.0035 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
28.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN3X3EP |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 810 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 28 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0035 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AON7532E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AON7532E?
Los reemplazos compatibles para el AON7532E incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 4N60, AON7508, AON7510, AON7516, AON7520, AON7522E, AON7524, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AON7532E?
El AON7532E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN3X3EP.
¿Cual es el voltaje maximo del AON7532E?
El AON7532E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 28.000 A.