AON7900
MOSFET
NN-Channel
DFN3.3X3.3A
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
24.000 A
RDSon
0.0210 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
17.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN3.3X3.3A |
| tr - Rise Time | 3 nS |
| Type of Control Channel | NN-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 360(830) pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 24(40) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 17(50) W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2.3 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.021(0.0067) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AON7900:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AON7900?
Los reemplazos compatibles para el AON7900 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON7764, AON7784, AON7788, AON7804, AON7810, AON7812, AON7820, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AON7900?
El AON7900 es un transistor MOSFET NN-Channel en encapsulado DFN3.3X3.3A.
¿Cual es el voltaje maximo del AON7900?
El AON7900 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 24.000 A.