AOSD62666E
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
9.500 A
RDSon
0.0145 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0145 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOSD62666E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOSD62666E?
Los reemplazos compatibles para el AOSD62666E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AONS32314, AONS62602, AONS62614, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOSD62666E?
El AOSD62666E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AOSD62666E?
El AOSD62666E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.500 A.