AOT10N60
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
208.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 66 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 130 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 208 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOT10N60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOT10N60?
Los reemplazos compatibles para el AOT10N60 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON7820, AON7826, AON7900, AON7902, AON7932, AON7934, AOP605, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOT10N60?
El AOT10N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del AOT10N60?
El AOT10N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.