AOT1100L
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
130.000 A
RDSon
0.0120 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
500.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 22 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 721 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 130 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.012 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOT1100L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOT1100L?
Los reemplazos compatibles para el AOT1100L incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AOD4184A, AON7902, AON7932, AON7934, AOP605, AOP609, AOT10N60, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOT1100L?
El AOT1100L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del AOT1100L?
El AOT1100L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 130.000 A.