AOT12N30
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
300.000 V
Id Max.
11.500 A
RDSon
0.4200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
132.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 31 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 132 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 300 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.42 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOT12N30:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOT12N30?
Los reemplazos compatibles para el AOT12N30 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOT10N65, AOT10T60P, AOT1100L, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOT12N30?
El AOT12N30 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del AOT12N30?
El AOT12N30 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 300.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.500 A.