AOT1N60
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
1.300 A
RDSon
9.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
41.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 6.7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 14.5 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 41.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 9 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOT1N60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOT1N60?
Los reemplazos compatibles para el AOT1N60 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOT13N50, AOT1404L, AOT14N50, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOT1N60?
El AOT1N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del AOT1N60?
El AOT1N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.300 A.