AOT8N80
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
7.400 A
RDSon
1.6300 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
245.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 51 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 101 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 245 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.63 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOT8N80:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOT8N80?
Los reemplazos compatibles para el AOT8N80 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOT7N60, AOT7N65, AOT7N70, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOT8N80?
El AOT8N80 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del AOT8N80?
El AOT8N80 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.400 A.