AOTF10T60P
MOSFET
N-Channel
TO-220F
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.7000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
43.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220F |
| tr - Rise Time | 54 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 56 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOTF10T60P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOTF10T60P?
Los reemplazos compatibles para el AOTF10T60P incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOD4184A, AOT9N40, AOT9N50, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOTF10T60P?
El AOTF10T60P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220F.
¿Cual es el voltaje maximo del AOTF10T60P?
El AOTF10T60P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.