AOTF11N60L
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
0.6500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
37.900 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 58 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 146 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 37.9 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.65 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOTF11N60L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOTF11N60L?
Los reemplazos compatibles para el AOTF11N60L incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOB42S60L, AOB66914L, AOB66918L, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOTF11N60L?
El AOTF11N60L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del AOTF11N60L?
El AOTF11N60L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.