AOV11S60
MOSFET
N-Channel
DFN8X8
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN8X8 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 37.3 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOV11S60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOV11S60?
Los reemplazos compatibles para el AOV11S60 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 8N65, AOU1N60, AOU2N60, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOV11S60?
El AOV11S60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN8X8.
¿Cual es el voltaje maximo del AOV11S60?
El AOV11S60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.