AOWF412
MOSFET
N-Channel
TO-262F
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0158 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
33.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-262F |
| tr - Rise Time | 16 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 260 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 33 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0158 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOWF412:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOWF412?
Los reemplazos compatibles para el AOWF412 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOWF12N65, AOWF12T60P, AOWF14N50, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOWF412?
El AOWF412 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-262F.
¿Cual es el voltaje maximo del AOWF412?
El AOWF412 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.