AOWF7S65
MOSFET
N-Channel
TO-262F
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
7.000 A
RDSon
0.6500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-262F |
| tr - Rise Time | 14 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 30 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.65 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOWF7S65:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOWF7S65?
Los reemplazos compatibles para el AOWF7S65 incluyen: 2SK711, AO3401, 2SK704, 2SK709, AOWF15S60, AOWF15S65, AOWF20S60, AOWF25S65, AOWF2606, AOWF412, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOWF7S65?
El AOWF7S65 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-262F.
¿Cual es el voltaje maximo del AOWF7S65?
El AOWF7S65 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.