AOWF8N50
MOSFET
N-Channel
TO-262F
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.8500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
27.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-262F |
| tr - Rise Time | 47 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 93 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 27.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.85 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOWF8N50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOWF8N50?
Los reemplazos compatibles para el AOWF8N50 incluyen: 2SJ154, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AOWF15S65, AOWF20S60, AOWF25S65, AOWF2606, AOWF412, AOWF4N60, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOWF8N50?
El AOWF8N50 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-262F.
¿Cual es el voltaje maximo del AOWF8N50?
El AOWF8N50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.