AOWF9N70
MOSFET
N-Channel
TO-262F
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
1.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
28.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-262F |
| tr - Rise Time | 61 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 113 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AOWF9N70:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AOWF9N70?
Los reemplazos compatibles para el AOWF9N70 incluyen: 2SJ154, 2SK1101-01MR, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AOWF20S60, AOWF25S65, AOWF2606, AOWF412, AOWF4N60, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AOWF9N70?
El AOWF9N70 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-262F.
¿Cual es el voltaje maximo del AOWF9N70?
El AOWF9N70 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.