AP01L60AT
MOSFET
N-Channel
TO92
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
0.160 A
RDSon
12.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
0.830 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 30.7 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.16 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.83 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP01L60AT:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP01L60AT?
Los reemplazos compatibles para el AP01L60AT incluyen: 2SK711, 2SK2568, 2SK2569, 2SK2595, 2SK2596, 2SK2633LS, 2SK2700, AP0103GMT-HF, AP0103GP-HF, AP01L60H-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP01L60AT?
El AP01L60AT es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del AP01L60AT?
El AP01L60AT tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.160 A.