AP01L60H-HF

MOSFET N-Channel TO252

Parametros Principales

Vds Max. 600.000 V
Id Max. 1.000 A
RDSon 12.0000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 29.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
tr - Rise Time 5 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 30.7 pF
|Id| - Maximum Drain Current 1 A
Pd - Maximum Power Dissipation 29 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 12 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP01L60H-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP01L60H-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP01L60H-HF incluyen: 2SK711, 2SK2569, 2SK2595, 2SK2596, 2SK2633LS, 2SK2700, AP0103GMT-HF, AP0103GP-HF, AP01L60AT, AP01L60J-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP01L60H-HF?

El AP01L60H-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP01L60H-HF?

El AP01L60H-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.

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