AP01N60H-HF
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
1.600 A
RDSon
8.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
39.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 25 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 39 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP01N60H-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP01N60H-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP01N60H-HF incluyen: 10N60, 2SK711, AP01L60H-HF, AP01L60J-HF, AP01L60T, AP01L60T-H-HF, AP01N15GK-HF, AP01N40G-HF, AP01N40J-HF, AP01N40H-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP01N60H-HF?
El AP01N60H-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP01N60H-HF?
El AP01N60H-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.600 A.