AP01N60P
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
1.600 A
RDSon
8.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
39.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 25 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 39 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP01N60P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP01N60P?
Los reemplazos compatibles para el AP01N60P incluyen: 10N65, 2SK711, 2SK3108, 2SK3109, 2SK3109-S, 2SK3109-ZJ, 2SK3110, 2SK3111, 2SK3111-S, 2SK3111-ZJ, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP01N60P?
El AP01N60P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP01N60P?
El AP01N60P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.600 A.