AP0203GMT-HF

MOSFET N-Channel PMPAK5X6

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 155.000 A
RDSon 0.0022 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 83.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package PMPAK5X6
tr - Rise Time 11.5 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 820 pF
|Id| - Maximum Drain Current 155 A
Pd - Maximum Power Dissipation 83.3 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0022 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP0203GMT-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP0203GMT-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP0203GMT-HF incluyen: 2SK711, 2SK3109, 2SK3109-S, 2SK3109-ZJ, 2SK3110, 2SK3111, 2SK3111-S, 2SK3111-ZJ, AP01N60P, AP02N40H-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP0203GMT-HF?

El AP0203GMT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK5X6.

¿Cual es el voltaje maximo del AP0203GMT-HF?

El AP0203GMT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 155.000 A.

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