AP0203GMT-HF
MOSFET
N-Channel
PMPAK5X6
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
155.000 A
RDSon
0.0022 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
83.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PMPAK5X6 |
| tr - Rise Time | 11.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 820 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 155 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0022 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP0203GMT-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP0203GMT-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP0203GMT-HF incluyen: 2SK711, 2SK3109, 2SK3109-S, 2SK3109-ZJ, 2SK3110, 2SK3111, 2SK3111-S, 2SK3111-ZJ, AP01N60P, AP02N40H-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP0203GMT-HF?
El AP0203GMT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK5X6.
¿Cual es el voltaje maximo del AP0203GMT-HF?
El AP0203GMT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 155.000 A.
