AP02N40J-HF
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
400.000 V
Id Max.
1.600 A
RDSon
5.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
33.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 22 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 33 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 400 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP02N40J-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP02N40J-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP02N40J-HF incluyen: 18N50, 2SK711, 2SK3110, 2SK3111, 2SK3111-S, 2SK3111-ZJ, AP01N60P, AP0203GMT-HF, AP02N40H-HF, AP02N40I-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP02N40J-HF?
El AP02N40J-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP02N40J-HF?
El AP02N40J-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 400.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.600 A.